輸入點數：32點。
輸入電壓及電流：DC24V 4mA。
應答時間：1/5/10/20/70ms。
32點1個公共端。
共陽極。
輸出點數：32點。
輸出電壓及電流：DC12-24V；0.1A/點；2A/公共端QD63P6用戶手冊。
應答時間：1ms。
32點1個公共端、漏型；40針連接器。
帶熱保護QD63P6
帶短路保護。
帶浪涌吸收器。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數據，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數據收發(fā)時間QD63P6用戶手冊。
可用編程工具對收集的數據進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
超高速處理，生產時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的QD63P6用戶手冊。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現以往與單片機控制相聯系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界三菱QD63P6手冊。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱QD63P6手冊。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間三菱QD63P6手冊。輸入點數：32點。
輸入電壓及電流：DC24V 4mA。
應答時間：1/5/10/20/70ms。
共陽極。
輸出點數：32點。
輸出電壓及電流：DC12~24V 0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA；應答時間：1ms。
漏型。
40針連接器。
帶熱防護。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數據，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數據收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數據進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
超高速處理，生產時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現以往與單片機控制相聯系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現的性能偏差。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區(qū)域QD63P6用戶手冊QD63P6。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。