更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，不帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm。容量：8M字節(jié)。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時(shí)使用SD存儲卡和擴(kuò)展SRAM卡Q64TCTTBWN
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
只需插入SD存儲卡，即可自動(dòng)記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲卡，即可自動(dòng)開始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其復(fù)制到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。12槽。
主基板需要配CPU和電源。
需要1個(gè)電源模塊。
用于安裝Q系列模塊。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。手動(dòng)肪沖發(fā)生器/INC同步編碼器輸入：
可使用臺數(shù)：3臺/1個(gè)模塊。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄指定的控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行精確的動(dòng)作分析。輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過超高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。