模擬量輸入通道數(shù)：4CH。
可使用的熱電偶：B、R、S、K、E、J、T、N、U、L、PLⅡ、W5Re/W26Re。
可使用的測(cè)溫電阻：PT100、JPt100。
采樣周期［4CH］：250ms/500ms。
控制輸出周期：0.5s～100.0s。
輸入阻抗：1MΩ。
輸入濾波器（0：輸入濾波器OFF）：0～100sR16ENCPU
傳感器補(bǔ)償值設(shè)定：負(fù)端輸入范圍的全范圍～輸入范圍的全范圍。
傳感器輸入斷線時(shí)的動(dòng)作：按比例放大處理。
溫度控制方式：PID ON/OFF脈沖或2位置控制
加熱器斷線檢測(cè)規(guī)格：有。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)兩個(gè)。
可實(shí)時(shí)監(jiān)視溫度波形的溫度追蹤功能。
使用GX Works3的溫度中功能，可實(shí)時(shí)追蹤溫度，在確認(rèn)溫度波形的同時(shí)進(jìn)行參數(shù)調(diào)整。
此外，可將中的溫度保存為CSV文件后導(dǎo)出，運(yùn)用于各種用途。
模塊間結(jié)合功能。
結(jié)合使用最多64臺(tái)的溫度調(diào)節(jié)模塊進(jìn)行溫度控制。可結(jié)合的功能為以下兩點(diǎn)。
模塊間同時(shí)升溫功能。
模塊間峰值電流抑制功能。
模塊間時(shí)升溫功能
通過(guò)配合多個(gè)環(huán)路的到達(dá)時(shí)間，進(jìn)行平均的溫度控制。
可實(shí)現(xiàn)均勻的溫度控制，避免控制對(duì)象出現(xiàn)部分燒損，
部分熱膨脹的現(xiàn)象。最多可分割為16組，配合其升溫到達(dá)時(shí)間，
減少系統(tǒng)整體在升溫時(shí)發(fā)生的能源浪費(fèi)。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的最小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過(guò)常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展最多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無(wú)需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：160K步。
輕松收集、顯示軟元件值。
只需進(jìn)行簡(jiǎn)單的參數(shù)設(shè)定，即可將軟元件值作為記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行收集，
保存到SD存儲(chǔ)卡中，或通通過(guò)USB/以太網(wǎng)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。
利用記錄功能收集的數(shù)據(jù)支持Unicode文本格式，
可通過(guò)GX LLogViewer和電子表格軟件輕松進(jìn)行確認(rèn)。
此外，還可利用GX LogViewer的實(shí)時(shí)監(jiān)控功能，
輕松確認(rèn)對(duì)象軟元件發(fā)生微小變化的時(shí)間。
這些功能對(duì)可追溯性的提高和設(shè)定啟動(dòng)、故障時(shí)的調(diào)試有很大幫助。