电缆长3.0米。
用于连接扩展基板。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100)。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块三菱QD75D4。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能QD75D4
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本三菱QD75D4。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。输入：2通道。
500/200/100/10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V三菱QD75D4。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
DC12/24V。
0.5A/点。
2A公共端。
40针连接器。输出点数：16点。
输出电压及电流：DC5~12V；16mA/点；256mA/公共端。
应答时间：0.5ms。
16点1个公共端。
漏型。
18点端于台三菱差动输出定位模块。
带保险丝。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差三菱差动输出定位模块。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程三菱差动输出定位模块。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间QD75D4。
可用编程工具对收集的数据进行分分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化三菱QD75D4。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。